0 محصولات
نمایش سبد خرید
اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل ۸۷۰ QVO ظرفیت ۱ ترابایت
Samsung 870 QVO 1TB 2.5 Inch Internal SSDویژگی‌های محصول
- گارانتی: 24 ماهه MIT
ناموجود
- فرم ظاهری: 2.5 اینچ
- ظرفیت: 1 ترابایت
- درگاه اتصال: SATA 6Gb/s
- سرعت خواندن: 560 مگابایت بر ثانیه
- سرعت نوشتن: 530 مگابایت بر ثانیه
- مقاوم در برابر: شوک
توضیحات
نقد و بررسی تخصصی اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل ۸۷۰ QVO ظرفیت ۱ ترابایت
سامسونگ از سال ۲۰۰۳ رتبه نخست را در تولید حافظه فلش در اختیار دارد. اس اس دی ۸۷۰ QVO سامسونگ، دومین نسل حافظه‌های QLC با ظرفیت حداکثر ۸ ترابایتی است که به دلیل سرعت بالا و عملکرد خیره کننده می‌تواند تجربه منحصر به فردی را در استفاده شما از لپتاپ و دسکتاپ‌تان رقم بزند. استفاده از بافر با ظرفیت بالاتر نیز، سرعت دسترسی و پردازش اطلاعات را بالا می‌برد.
دیزاین و طراحی اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل ۸۷۰ QVO ظرفیت ۱ ترابایت
این حافظه ۱ ترا بایتی در ظرفیت‌های دیگر ۲ ، ۴ و ۸ ترابایتی عرضه شده تا بسته به نیاز کاربر، بهترین عملکرد را از فضای موجود در لپتاپ و سیستم ارایه دهد. اینترفیس SATA 6Gb/s با نسخه‌های قبلی یعنی SATA 3Gb/s و SATA 1.5Gb/s نیز سازگاری دارد.
اندازه ۲.۵ اینچی و رابط SATA یعنی استفاده از این حافظه در پلتفرم‌های مختلف مانند لپتاپ، دسکتاپ و سرور، بدون هیچ دردسری امکان پذیر است و نرم افزار مخصوص Samsung Magician software برای انتقال اطلاعات، راه‌اندازی و ادامه کار قبلی خود روی حافظه جدید به کمک‌تان می‌آید.
ویژگی‌های تخصصی اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل ۸۷۰ QVO ظرفیت ۱ ترابایت
سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی حداکثر به ۵۶۰ و ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه می‌رسد که نسبت به محصولات دیگر از شرکت‌های رقیب، عملکرد بهتری دارد. مدل یک ترابایتی دارای TBW برابر با ۳۶۰ ترابایت است و به کارگیری مکانیزم ECC به عملکرد بدون نقص و پایداری بیشتر این حافظه، کمک می‌کند.
رمزنگاری AES 256-bit Full Disk Encryption و TCG/Opal V2.0 و Encrypted Drive (IEEE1667) از دیگر ویژگی‌های این حافظه است. کش ۱ گیگابایتی از نوع Low Power DDR4 SDRAM باعث سرعت بخشیدن به دسترسی و پردازش اطلاعات می‌شود. همچنین مجهز بودن به S.M.A.R.T، Auto Garbage Collection Algorithm، TRIM به بهبود تجربه کاربری و پایداری بالاتر این ماژول حافظه کمک می‌کنند.
| رابط: | (SATA III (6Gb/s |
|---|---|
| GC: | دارد |
| WWN: | دارد |
| پشتیبانی S.M.A.R.T: | دارد |
| پشتیبانی از TRIM: | دارد |
| حافظه کش (Cache): | Samsung 1 GB Low Power DDR4 SDRAM |
| درگاه اتصال: | SATA |
| کنترلر: | Samsung MJX |
| عمر نوشتاری (TBW): | ۲۸۸۰ ترابایت |
| میانگین عمر (MTBF): | ۱٫۵ میلیون ساعت |
| نوع فلش: | MLC |
| قابلیت رمز نگاری: | AES 256 bit |
| مقاوم در برابر: | شوک |
| ظرفیت: | ۱ ترابایت |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی: | ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه |
|---|---|
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی: | ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه |
| وزن: | ۸۶٫۱۸ گرم |
|---|---|
| ابعاد: | ۱۰۰٫۰۷۶x 70.104x 6.858 میلی متر |
توضیحات تکمیلی
| وزن | 400 گرم |
|---|---|
| گارانتی | 24 ماهه MIT |
سوالات و پاسخ‌های مشتریان
هنوز هیچ سوالی وجود ندارد، اولین کسی باشید که برای این محصول سوالی مطرح می کنید.
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.